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ASMLEUV光刻機除了對分辨率的要求以外，對于對準(Overlay)有更高的要求，比如上圖中最新的EUV光刻機對準的誤差是1.4nm,并且達到這一水平還需要在高速狀態下實現，有一個說法是：相當于兩架大飛機從起飛到降落，始終齊頭并進。一架飛機上伸出一把刀，在另一架飛機的米粒上刻字，不能刻壞了。實際上這個說法并不夸張，只有在這種精度級別上才能實現目前所需的制程。當然，光刻工藝精度的提高，對其他蝕刻等工藝也會提出更高的要求，只有所有的工藝都能夠完美的配合時，才能實現新一代制程的導入。工藝流程半導體工藝類型只有我上面提到的不到10個（光刻，蝕刻，化學氣相沉積等），但是實際上由于芯片的制備是一層一層的加工制造，并且制程越先進，晶體管密度越大，相應的所需要的層數也越多，因此需要各種類型的工藝反復的進行加工。芯片從晶圓開始加工到結束可能需要300道以上的工序，而任何一道工序稍有失誤就可能導致大量的芯片報廢。并且很多工藝都是沒有挽救余地的，中間只要有一個工藝發生偏差就只能報廢處理，還有很多時候很小的偏差只有等到芯片制造完成進行電性能測試的時候才能發現，這樣造成的損失就更加龐大。

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